大国重器之：中微半导体 科创板风云

来源：欧宝全站app    发布时间：2024-03-03 18:47:52

  1958年，德州仪器一名刚入职不久、年仅34岁、身高2米、性格沉默寡言的名叫杰克基尔比的工程师发明了人类历史上第一块集成电路装置，二十世纪波澜壮阔的信息革命序幕就此拉开。

  在信息革命的浪潮之中，一大批杰出的企业应运而生。除了大家耳熟能详的英特尔、三星之外，在IC设计领域有高通、英伟达、AMD；IC制造领域有台积电、台联电；IC封测领域有日月光、矽品；著名的设备供应商有阿斯麦（高端光刻机）、应用材料（刻蚀设备等）；材料供应商有日本胜高和信越；最知名的IP供应商则是来自英国的ARM。

  集成电路有“现代工业粮食”之称，它不单单是电子产业的基石，也是物联网、大数据、云计算等新一代信息产业的基石，是一个具有战略意义的重大产业。由于我国的集成电路产业起步较晚，在高端产品上对国外依赖较大，但是经过几十年的发展和沉淀，我国已形成相对齐全的集成电路产业链。

  特别是近年来随着集成电路大基金的设立和一大批高端海外技术人才归国，我国的集成电路产业高质量发展迅猛，出现了以华为海思（IC设计）、紫光展锐（IC设计）、中芯国际（IC制造）、长电科技（IC封测）、中微半导体（刻蚀设备）、上海新昇（硅片）等优质企业，它们的崛起不仅仅代表中国集成电路产业的崛起，往大了说，是代表着中国高科技产业的崛起。

  2019年3月29日，中微半导体公布了招股说明书，拟登陆科创板。今天风云君就跟各位老铁好好叨逼一下中微半导体此公司。

  在技术含量极高的高端半导体产业中，能与美欧日韩等国际巨头同台较量的中国企业凤毛麟角，而中微半导体是其中一家。而要了解中微这家公司，先不得不介绍一下公司创始人尹志尧。

  1980年赴美国加州大学洛杉矶分校攻读物理化学博士，毕业后进入英特尔中心研究开发部工作，担任工艺程师；1986年加盟泛林半导体，开发了包括Rainbow介质刻蚀机在内的一系列成功的等离子刻蚀机，使得陷入困境的泛林一举击败应用材料，跃升为全球最大的等离子刻蚀设备制造商，占领了全球40%以上的刻蚀设备市场。

  以此同时，泛林与日本东京电子合作，东京电子从泛林这里学会了制造介质等离子体刻蚀机，复制其Rainbow设备在日本销售，后来崛起为介质刻蚀的领先公司。

  1991年，泛林遭老对手美国应用材料挖角，尹志尧先后历任应用材料等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官。

  为了避免知识产权风险，尹志尧从头再来，用不同于泛林时期开发的技术，研发出性能更好的金属刻蚀、硅刻蚀和介质刻蚀设备，应用材料再次击败泛林，重返行业龙头地位，到2000年，应用材料占据了40%以上的国际刻蚀设备市场份额。

  目前全球半导体刻蚀设备领域三大巨头——应用材料、泛林、东京电子，都与尹志尧的贡献密切相关。

  2004年8月，已年届六旬的尹志尧带领15名硅谷资深华裔技术工程师和管理人员回国，创立了中微半导体，并在短短数年之间崛起为全球半导体设备领域的重要玩家。

  中微是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设施公司，主要是做半导体设备的研发、生产和销售。

  中微的产品主要有两大类，一类是大家早已熟知的刻蚀设备，第二类是发展异常迅猛的MOCVD设备。

  中微从2004年创立时，首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备PrimoD-RIE，到目前为止己成功开发了双反应台PrimoD-RIE，双反应台PrimoAD-RIE和单反应台的PrimoAD-RIE三代刻蚀机产品，涵盖65纳米、45纳米、32纳米、28纳米、22纳米、14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的众多刻蚀应用。

  从2012年开始中微开始开发ICP刻蚀设备，到目前为止己成功开发出单反应台的Primonanova刻蚀设备，同时着手开发双反应台ICP刻蚀设备。公司的ICP刻蚀设备主要是涵盖14纳米、7纳米到5纳米关键尺寸的刻蚀应用。

  这里面看起来是几个似乎不起眼的数据，但里面蕴含了满满的技术上的含金量。特别是18年中微的5纳米刻蚀技术被新闻媒体报道之后，引起很大的轰动。个别标题党用了《王炸！国家突然宣布一个大消息！巨头们彻夜无眠！》、《此人突然回国，美国慌了，日本傻眼，世界惊呆》这种耸人听闻的标题来鼓吹，搞得中微董事长尹志尧再三出来澄清。

  霸特，从中微这次披露的招股说明书来看，毫无疑问，它已经完全掌握了5纳米刻蚀技术，其CCP刻蚀设备和ICP刻蚀设备都涵盖了5纳米尺寸的刻蚀应用。

  目前圆晶制程技术方面，14纳米是主流，龙头台积电的7纳米生产线纳米制程已进入量产阶段，5纳米工艺还在研发过程中；另一半导体巨头英特尔10纳米工艺难产，7纳米工艺也在研发中。

  所以从圆晶制程工艺技术发展水平来看，5纳米已经是目前的最高技术水平。作为圆晶厂的重要供应商，中微的5纳米刻蚀设备能满足目前最先进的圆晶制程工艺，据说台积电的5纳米生产线，用的就是中微的刻蚀设备。

  除了台积电之外，中微刻蚀设备的主要用户还包括中芯国际、海力士、华力微电子等国际国内巨头。

  MOCVD即金属有机物化学气相淀积，是1968年由美国洛克威公司提出制备化台物单晶薄膜的一项新技术，到上世纪80年代初得以实用化，目前是半导体化台物材料制备的关键技术之一。

  中微从2010年开始开发用于LED外延片加工中最关键的设备——MOCVD设备。目前己开发了三代MOCVD设备，可用于蓝绿光LED、功率器件等加工，包括：第一代设备PrismoD-Blue、第二代设备PrismoA7及正在开发的第三代30英寸大尺寸设备。

  公司的MOCVD设备目前在一些行业大佬的生产线上大规模投入量产，己变成全球排名前列、国内占主导地位的氮化镓基LED设备制造商，主要客户包括三安光电、华灿光电、乾照光电等多家主流LED制造厂。

  中微MOCVD设备的牛逼程度丝毫不亚于其刻蚀设备。从财务数据分析来看，发展速度之迅猛令人咂舌，这一点先不瞎逼逼，后面用数据来论证。

  优质的产品为中微赢得了不错的口碑，在2018年度VLSIResearch“客户满意程度”调查中，中微公司位居全球半导体设备公司的第三名，在刻蚀和清理洗涤设施供应商排名中位列第二，在全球薄膜沉积设备供应商排名中荣登榜首。

  前面我们介绍过，中微的两大主力产品分别是刻蚀设备和MOCVD设备，下面先来看其具体的收入结构：

  第一类是专用设备，包括刻蚀设备、MOCVD设备和别的设备，这类设备的营收占比一直在80%以上；

  第二类业务备品备件和第三类业务设备维护都是第一类业务的衍生业务，占比约15%。

  而在第一类业务中，别的设备可以忽略不计，所以下面重点分析其刻蚀设备和MOCVD设备收入变动情况。

  半导体这个行业是一个典型的技术驱动型行业，技术竞争很激烈，行业集中度很高，特别是圆晶厂，不仅要拼技术，还要拼资金，一条生产线动辄数百亿，小公司根本玩不起。2017年销售数量大跌超四成，导致这块收入同比大幅度下滑38.75%，这跟行业景气度及行业特点有关。

  2017年中微受少数客户（风云君估计是台积电）资本性支出削减的影响，刻蚀设备销量大幅度地下跌。而2018年由于中国大陆集成电路制造商（主要也是圆晶厂）投资持续大幅度增长，公司刻蚀设备的销售数量回升至71腔，同比大增115.15%，收入也同比增长近一倍。

  未来的事情真不好说，但是从两个财务数据能够准确的看出中微未来的业绩还是有一定保障的：一个是预收账款，一个是存货科目中的“发出商品”。这个后面再细说。

  虽然中微以刻蚀设备闻名于世，但是其MOCVD设备业务的发展速度远快于刻蚀设备，2016年MOCVD设备销售仅3腔，到2017年的时候销售数量和金额就赶超了刻蚀设备，当年销售57台，贡献营收5.3亿，占其营收总额比例近55%，一跃成为中微的第一大主营业务。

  2018年这种高增长态势得以延续，当年销量同比大增86%，收入增长近六成，主要是为了开拓市场选择降低售价，所以销售单价下降明显。

  风云君认为中微除了刻蚀设备牛逼之外，MOCVD设备业务前景可期，因为MOCVD设备不像刻蚀设备那样定制化程度很高，从下订单到设备生产、调试，周期漫长，卖一台设备比较费劲（当然，刻蚀设备的衍生业务，比如备品备件和设备维护，要比MOCVD设备好），而MOCVD设备标准化程度高，易于批量生产、销售，再加上中微的技术和产品性价比都很优异，所以更容易做大。

  中微能在短短数年时间做到国内的龙头老大，就说明它在这块业务上具有彪悍的竞争力。

  中微最近三年的综合毛利率呈显而易见地下降趋势，主要是MOCVD设备毛利率下降所致。

  分产品来看，刻蚀设备毛利率在17年出现较大幅度下滑后，主要是销售规模一下子就下降所致，2018年毛利率迅速反弹并创出三年顶配水平，主要是下游客户的真实需求增加导致销售规模大增所致。

  MOCVD设备在2018年毛利率出现一下子就下降，主要是中微为逐步扩大市场占有率和提升销售额，策略性地降低产品营销售卖价格所致。

  六家可比公司中，应用材料、泛林和东京电子是国际半导体刻蚀设备三大巨头，北方华创是国内的后起之秀，维易科和爱思强（中微曾经计划收购德企爱思强，后来被老美搅黄了）是MOCVD设备领域两大国际领先企业。

  MOCVD设备方面，中微16、17年的毛利率与维易科、爱思强大致一致，18年中微为抢占更多的市场占有率，开始策略性降价，导致毛利率低于两大竞争对手。三大国际刻蚀设备巨头的毛利率基本维持在40%上方，中微刻蚀设备的毛利率与三巨头旗鼓相当，略高于国内新秀北方华创。

  截止到2018年12月31日，中微总资产35.33亿，总负债14.16亿，资产负债率40%。

  在资产端，占比最大的是存货，18年底存货余额12.48元，占其总资产比例高达35.31%。

  中微的两大主力产品刻蚀设备和MOCVD设备，这种高精尖的专用设备单价高，销售周期也相对较长，在组装测试完成后一般直接拆装成模块运往客户车间来安装，运行一段时间后客户完成验收，方可满足收入确认条件。

  这种产品特点体现在财务数据上，就是一方面库存高，另一方面预收账款较多。而库存高并不是产品卖不出去，而是产品其实已经出售（发给客户），只是暂未满足收入确认条件而已。以2018年为例，中微12.48亿存货中，有5.94亿是发出商品，几乎占了存货总金额的一半。

  这一点在预收账款上也能很好的印证：截止到2018年底，中微的预收账款余额为6.8亿，占其总负债的半壁江山。

  “发出商品”和“预收账款”是两个业绩方面的先行财务指标，风云君在前面说过中微未来的业绩还是有一定保障的，依据就是其发出商品和预收账款大幅增长。

  再从偿还债务的能力较大看，截止到18年底，中微的金融负债仅7206.36万元短期借款，占总负债比例仅5.09%，无其他有息负债。

  同时，其账面上货币资金6.7亿，打理财产的产品3.9亿，现金储备超过10亿，所以偿还债务的能力是没问题的。

  2016年至2018年，中微的开研发支出分别是3.02亿、3.3亿、4.04亿，占其当期营收的占比分别是49.62%、34%、24.65%。

  这种高比例的研发支出占比，符合高端半导体行业的特点。尤其是在公司发展早期，研发支出占营收比例很高，比如中微2016年研发支出总额占营收比例将近一半，这也是导致其2016年出现大额亏损（亏2.4亿）的主要原因。

  高研发支出是技术驱动型企业的一种常态，半导体产业尤其如此，这是他们赢得核心竞争力的基本保障。

  另外值得一提的是，自2017年开始，中微研发支出的资本化率开始大幅度的提高，17年和18年资本化金额分别是1.62亿和1.92亿，资本化率分别是48.9%、47.64%。

  这个资本化率还是挺高的，对当期利润影响巨大，所以在“盈余管理”这个老套路上，中微也未能免俗。老铁，上市了之后，对待股东要更真诚一些哟。

  在改革开放40余年的今天，中国正在从制造大国向制造强国迈进。而随着我们国家人才教育培训体系日臻成熟和大批海外高品质人才的回归，我国的高科技产业快速崛起，而中微半导体就是这里面一个杰出代表。

  中微半导体在技术上已达到国际顶尖水平，从财务数据分析来看，其营收增速非常迅猛，特别是其新兴业务MOCVD设备。

  虽然由于高研发投入和早期开拓市场需要大额投入，导致盈利状况不不太理想，但是随着其产品销量打开，市场占有率慢慢的升高，未来的盈利能力会逐渐改善。

  《风云海外动态高盛一季度利润下滑21％；花旗集团盈利超预期，但收入下降》

  我们将逐步增加更多盘面信息分析模块；同时就相关产业政策动态、行业动态进行持续跟踪，敬请期待~